華南檢測中心（成都分支）

        整合工程服務(wù)平臺提供IT產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)技術(shù)解決方案，包括發(fā)展的測試、驗(yàn)證、診斷及分析工程服務(wù)技術(shù):掌握新市場奈米世代半導(dǎo)體先進(jìn)制程、保護(hù)智慧財產(chǎn)權(quán)及綠色環(huán)保產(chǎn)品趨勢，結(jié)合電性參數(shù)分析、去IC封裝、IC層次去除、試片制備、微光顯微鏡、電子顯微鏡分析(SEM, TEM)、可靠度工程...等技術(shù),提供具時效性的高質(zhì)量全方位服務(wù),加速客戶新產(chǎn)品開發(fā)及上市的需求。
失效分析步驟：背景調(diào)查、確定失效模式、分析失效機(jī)理、提出預(yù)防措施。
背景調(diào)查：基本信息，出于管理需要的信息，樣品來源、型號、批次、編號、時間、地點(diǎn)等。 技術(shù)信息，是判斷可能的失效機(jī)理和失效分析方案設(shè)計的重要依據(jù)。技術(shù)信息包括特定使用應(yīng)用信息：整機(jī)故障現(xiàn)象﹑異常環(huán)境﹑在整機(jī)中的狀態(tài)﹑二次篩選應(yīng)力、失效歷史、失效比例；特定生產(chǎn)工藝：生產(chǎn)工藝條件和方法及特種器件應(yīng)先用好品開封了解和研究其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
確定失效模式：所失效模式是指失效的物理表現(xiàn)形式和過程，一般可理解為導(dǎo)致失效的異常物理現(xiàn)象及其位置。判斷失效原因。失效原因通常是指釀成失效甚至事故的直接關(guān)鍵性因素，也就是失效的外因，往往與設(shè)計，材料，制造工藝，環(huán)境以及管理有關(guān)。
分析失效機(jī)理。失效機(jī)理是指失效的物理，化學(xué)變化本質(zhì)，其實(shí)就是指失效的內(nèi)因。在集成電路的失效分析中包含兩部分內(nèi)容，一部分是指導(dǎo)致電氣性能失效的物理現(xiàn)象，稱為電性失效機(jī)理；另一部分是指引起這種物理現(xiàn)象的本質(zhì)，成為物理失效機(jī)理。
提出預(yù)防措施。預(yù)防措施的提出是建立在前面對失效模式，失效原因和失效機(jī)理深入分析和準(zhǔn)確把握的基礎(chǔ)上。只有這樣，才能對設(shè)計，材料，制造工藝，環(huán)境以及管理做出相應(yīng)的改進(jìn)和創(chuàng)新的預(yù)防措施，從而避免類似失效的發(fā)生。
失效分析一般流程：

收集失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)
電測并確定失效模式
非破壞檢查
打開封裝
鏡檢
通電并進(jìn)行失效定位
對失效部位進(jìn)行物理化學(xué)分析，確定失效機(jī)理
綜合分析，確定失效原因，提出糾正措施

失效分析主要手段
光學(xué)檢測
電學(xué)測試
X射線檢查
聲學(xué)掃描     物理檢查
金相切片
染色分析
開封         聚焦離子束 FIB
光輻射電子顯微鏡
掃描電鏡能譜分析SEM-EDS
透射電鏡TEM
顯微傅利葉紅外分析 FTIR
俄歇電子成份分析 AES-XPS
粘貼強(qiáng)度  剪切強(qiáng)度       引線鍵合強(qiáng)度

主要失效分析技術(shù)能力：
集成電路
分立元器件
小型整機(jī)
電子工藝材料的檢測分析
元器件工藝適應(yīng)性測試評價
PCB&PCBA失效分析
金屬材料及部件
高分子材料及部件
涂料、涂層產(chǎn)品
包裝材料
腐蝕失效分析
工藝設(shè)計可靠性分析及評價