一種可尋址氮化鎵基LED顯示微陣列及其制備方法
本發明公布了一種可尋址氮化鎵基LED顯示微陣列及其制備方法，所述微陣列包括藍寶石LED外延片、GaN列矩陣隔離結構、InGaN/GaN量子阱薄膜層、有源區、N型歐姆接觸、P型歐姆接觸、光線反射金屬層、金屬互連引線、以及支撐硅電極。所述方法采用干法ICP刻蝕出Mesa隔離結構的列單元和能放置LED字線金屬引線的臺面結構，然后分別電子束蒸發不同金屬形成N型和P型歐姆接觸，形成光線反射金屬層，并用PECVD淀積二氧化硅作為鈍化層；在LED陣列引線外接區域電子束蒸發金屬形成LED陣列的倒裝焊壓焊結構；隨后在硅襯底裸片的隔離氧化層上完成金屬鋁線圖形化Al并淀積二氧化硅鈍化層，最后采用倒裝焊技術實現對接。
注意：下載完成后，文檔查看密碼為“ www.toddpepper.com ”
